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基本信息

 

祝杰杰 副教授,硕导 

微电子学院            

研究方向

1. 宽禁带半导体微波/毫米波功率器件

2. 半导体功率器件及可靠性

3. 半导体表面与界面研究

联系方式

通信地址:陕西省西安市太白南路2号,710071

电子邮箱:jjzhu@mail.xidian.edu.cn

办公地点:北校区东大楼214A

个人简介

     祝杰杰,山东潍坊人,陕西省科技创新团队核心成员,长期在宽带隙半导体技术国家重点学科实验室从事宽禁带氮化镓半导体器件研究。主持了国家重点研发计划课题、基础加强计划项目子课题、国家自然科学基金、预研项目子课题、产学研合作项目等多项课题,在IEEE Electron Device Lett.、IEEE Trans. Electron Devices、Appl. Phys. Lett.等国际期刊发表SCI论文50余篇,获授权国家发明专利8项。

教育与工作经历:

2020.07至今           西安电子科技大学     微电子学院                                 讲师/副教授

2019.07-2020.07     英国布里斯托大学     物理系                                         博士后

2016.07-2020.07     西安电子科技大学     先进材料与纳米科技学院         讲师,硕导

2011.08-2016.06     西安电子科技大学     材料物理与化学专业                 工学博士(硕博连读)

2007.09-2011.07     西安电子科技大学     电子科学与技术专业                 工学学士(优秀毕业生)

获得奖励和荣誉:

陕西省科学技术一等奖(2017年)

陕西省优秀博士学位论文(2019年)

学术兼职:

全国电子信息材料与器件专家委员会委员

最新动态

【2017-11-29】论文发表:GaN器件与铁电薄膜集成技术取得重大突破,基于新型界面调控和极化耦合技术实现了大电流、极高沟道输运特性、低关态损耗的GaN增强型器件,成果发表在电子器件权威期刊IEEE Electron Devices Letters (SCI二区)。{Jiejie Zhu, et al.,Ferroelectric gate AlGaN/GaN E-mode HEMTs with high transport and sub-threshold performance, IEEE Electron Devices Letters, 2017, published online.} New!

【2017-11-28】团队获奖:马晓华教授负责的“微纳看世界”团队荣获西安电子科技大学第二届“三好三有”研究生导学团队荣誉称号,其中祝杰杰是团队导师之一。新闻链接:http://info.xidian.edu.cn/info/1010/13168.htm New!

【2017-11-21】科研获奖:祝杰杰的博士学位论文《氮化物MIS-HEMT器件界面工程研究》获陕西省电子学会优秀博士学位论文奖。New!

【2017-10-16】论文发表:GaN基绝缘栅器件界面表征研究取得重要进展,揭示了界面态俘获截面与陷阱激活能之间的指数变化规律,成果发表在应用物理领域权威期刊 Applied Physics Letters (SCI二区){Jiejie Zhu, et al. Exponential dependence of capture cross section on activation energy for interface traps in Al2O3/AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures Appl. Phys. Lett., 111(16): 163502.}New!

【2017-09-26】学术会议:祝杰杰参加APWS2017国际会议,并在会上作口头报告。New!